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SIR892DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數量:
 3177  
說明:
 MOSFET 25V 50A 50W 3.2mohm @ 10V
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SIR892DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR892DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIR892DP-GE3
典型關閉延遲時間:40 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:18 ns
功率耗散:5 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :50 S
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0034 Ohms
漏極連續電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIR892DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIR892DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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