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SIRA00DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數量:
 8869  
說明:
 MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV
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SIRA00DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIRA00DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIRA00DP-GE3
典型關閉延遲時間:67 ns
上升時間:14 ns
功率耗散:104 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:66 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :140 S
下降時間:11 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):1 mOhms at 10 V
漏極連續電流:60 A
閘/源擊穿電壓:2.2 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIRA00DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIRA00DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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