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SI7456CDP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 7668
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 100V 8-SOIC

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SI7456CDP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：23.5 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：27.5A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：730pF @ 50V
功率 - 最大：35.7W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI7456CDP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI7456CDP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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