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NP90N06VLK-E1-AY

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: TO-252（MP-3ZP）
數量：: 3663
說明：: ABU / MOSFET

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NP90N06VLK-E1-AY PDF參數資料

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中文參數如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：1.2W（Ta），147W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6000 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：95 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5.3 毫歐 @ 45A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：90A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Renesas Electronics America Inc

以上是NP90N06VLK-E1-AY的詳細信息，包括NP90N06VLK-E1-AY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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