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IPD055N08NF2SATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數量：: 1170
說明：: MOSFET

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IPD055N08NF2SATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta），107W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2500 pF @ 40 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 55μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5.5 毫歐 @ 60A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：17A（Ta），98A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：80 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：StrongIRFET? 2
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPD055N08NF2SATMA1的詳細信息，包括IPD055N08NF2SATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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