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PTFA080551FV1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-37265-2
數量:
 2601  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA080551FV1-H-37265-2圖片

PTFA080551FV1 PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:219 W
安裝風格:SMD/SMT
包裝形式:Tray
封裝形式:H-37265-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續電流:600 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:55 W
增益:18.5 dB
頻率:869 MHz to 960 MHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA080551FV1的詳細信息,包括PTFA080551FV1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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