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PTFA080551E V4

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-36265-2
數(shù)量:
 5373  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA080551E V4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:FA080551EV4XP PTFA080551EV4XWSA1 SP000376058
工廠包裝數(shù)量:50
系列:PTFA080551
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.15 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:219 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
包裝形式:Tray
封裝形式:H-36265-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續(xù)電流:600 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:55 W
增益:18.5 dB
頻率:869 MHz to 960 MHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA080551E V4的詳細(xì)信息,包括PTFA080551E V4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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