色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 射頻半導(dǎo)體 > 晶體管射頻 > 射頻GaAs晶體管 > NE32584C-S

NE32584C-S

廠家：: NEC/CEL
封裝：: Micro-X Ceramic (84 C)
數(shù)量：: 3249
說明：: 射頻GaAs晶體管 84C LO NO HJ FET

一、本商品被瀏覽0次.

NE32584C-S PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：1000
包裝形式：Tube
封裝形式：Micro-X Ceramic (84 C)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作溫度：+ 150 C
漏極連續(xù)電流：90 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：60 mS
噪聲系數(shù)：0.45 dB
增益：12.5 dB
頻率：12 GHz
技術(shù)類型：pHEMT
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：NEC

以上是NE32584C-S的詳細(xì)信息，包括NE32584C-S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻MOSFET電源晶體管射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管

最新產(chǎn)品：

FDMC008N08C

XTL312625.000000I

SW5-002020AN1NM

T498X336M035ZTE5007280

AFS3-08001200-30-10P-4

ADS125H01IRHBR

RER40F1400RC02

49L-CBSA-4.0X4.25X0.4