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NE334S01-T1

廠家:
  NEC/CEL
封裝:
 SO-1
數(shù)量:
 4545  
說(shuō)明:
 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET
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NE334S01-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:1000
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-1
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
功率耗散:300 mW
最大工作溫度:+ 125 C
漏極連續(xù)電流:150 mA
閘/源擊穿電壓:- 3 V
漏源電壓 VDS:4 V
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :85 mS
噪聲系數(shù):0.25 dB
增益:16 dB
頻率:4 GHz
技術(shù)類型:HEMT
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻GaAs晶體管
制造商:NEC

以上是NE334S01-T1的詳細(xì)信息,包括NE334S01-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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