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NE334S01-T1

廠家：
  NEC/CEL
封裝：
 SO-1
數量：
 4545  
說明：
 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET
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NE334S01-T1 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-1
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：300 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：150 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：85 mS
噪聲系數：0.25 dB
增益：16 dB
頻率：4 GHz
技術類型：HEMT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：NEC

以上是NE334S01-T1的詳細信息，包括NE334S01-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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