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NE334S01-A

廠家:
  NEC/CEL
封裝:
 SO-1
數量:
 3294  
說明:
 MOSFET Low Noise HJ FET
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NE334S01-A PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:300 mW
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :0.085 S
封裝形式:SO-1
安裝風格:SMD/SMT
漏極連續電流:15 mA
閘/源擊穿電壓:- 3 V
汲極/源極擊穿電壓:4 V
RoHS:是
制造商:NEC

以上是NE334S01-A的詳細信息,包括NE334S01-A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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