色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻GaAs晶體管 > NE325S01

NE325S01

廠家：: NEC/CEL
封裝：: SO-1
數量：: 3258
說明：: 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET

一、本商品被瀏覽0次.

NE325S01 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

包裝形式：Bulk
封裝形式：SO-1
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：90 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：60 mS
噪聲系數：0.45 dB
增益：12.5 dB
頻率：12 GHz
技術類型：HEMT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：NEC

以上是NE325S01的詳細信息，包括NE325S01廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產品：

射頻MOSFET電源晶體管射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管