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MMBTH10M3T5G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-723
數量：: 3132
說明：: 兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS

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MMBTH10M3T5G PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：8000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：640 mW
直流電流增益 hFE 最大值：60 at 4 mA at 10 V
封裝形式：SOT-723
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 4 mA at 10 V
增益帶寬產品fT：650 MHz
發射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MMBTH10M3T5G的詳細信息，包括MMBTH10M3T5G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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