色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MMBTH10Q-7-F

MMBTH10Q-7-F

廠家：: Diodes Incorporated
封裝：: SOT-23-3
數量：: 5310
說明：: RF TRANSISTOR SOT23

一、本商品被瀏覽0次.

MMBTH10Q-7-F PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
功率 - 最大值：
封裝封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：50mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 4mA，10V
功率 - 最大值：310mW
增益：-
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：-
頻率 - 躍遷：650MHz
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：25V
晶體管類型：NPN
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Diodes Incorporated

以上是MMBTH10Q-7-F的詳細信息，包括MMBTH10Q-7-F廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：