色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MMBTH10RG_Q

MMBTH10RG_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 3798
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

MMBTH10RG_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：50 at 1 mA at 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：450 MHz
最大直流電集電極電流：0.05 A
集電極—射極飽和電壓：25 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：40 V
集電極—基極電壓 VCBO：40 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBTH10RG_Q的詳細信息，包括MMBTH10RG_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：