色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MMBTH10RG

MMBTH10RG

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23-3
數量：: 3141
說明：: 射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

MMBTH10RG PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
增益帶寬產品fT：450 MHz (Min)
直流電流增益 hFE 最大值：120
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：50
功率耗散：225 mW
集電極連續電流：0.045 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：40 V
最大工作頻率：450 MHz
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻雙極小信號晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBTH10RG的詳細信息，包括MMBTH10RG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：