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RN2906FE,LF(CT

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 ES6
數量:
 7254  
說明:
 PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
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RN2906FE,LF(CT-ES6圖片

RN2906FE,LF(CT PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝封裝/外殼:表面貼裝型
功率 - 最大值:100mW
頻率 - 躍遷:200MHz
電流 - 集電極截止(最大值):500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
電阻器 - 發射極 (R2):47 千歐
電阻器 - 基極 (R1):4.7 千歐
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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