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IRL640L

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-262-3
數(shù)量：: 8100
說明：: MOSFET N-CH 200V 17A TO-262

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IRL640L PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 10A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs66nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1800pF @ 25V
功率 - 最大3.1W
安裝類型通孔

以上是IRL640L的詳細信息，包括IRL640L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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