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IPD50N06S3-07

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 9972  
說明:
 MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.9mOhms
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IPD50N06S3-07-TO-252圖片

IPD50N06S3-07 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPD50N06S307XT
典型關(guān)閉延遲時間:45 ns
上升時間:60 ns
功率耗散:136 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:73 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):6.9 m Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD50N06S3-07的詳細信息,包括IPD50N06S3-07廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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