色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD50N06S3-09

IPD50N06S3-09

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 8028
說明：: MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms

一、本商品被瀏覽0次.

IPD50N06S3-09 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPD50N06S309XT
典型關(guān)閉延遲時間：26 ns
上升時間：42 ns
功率耗散：107 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：37 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9 mOhms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD50N06S3-09的詳細(xì)信息，包括IPD50N06S3-09廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1