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IPD50N06S4L08ATMA2

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO252-3-11
數量:
 7857  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
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IPD50N06S4L08ATMA2 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):71W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4780 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):64 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 35μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):7.8 毫歐 @ 50A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):50A(Tc)
漏源電壓(Vdss):60 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Infineon Technologies

以上是IPD50N06S4L08ATMA2的詳細信息,包括IPD50N06S4L08ATMA2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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