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IPD50N06S3L-13

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數量:
 8064  
說明:
 MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 13mOhms
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IPD50N06S3L-13-TO-252圖片

IPD50N06S3L-13 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPD50N06S3L13XT
典型關閉延遲時間:53 ns
上升時間:51 ns
功率耗散:65 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:103 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):13 m Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD50N06S3L-13的詳細信息,包括IPD50N06S3L-13廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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