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IPB09N03LA

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數量：: 6768
說明：

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IPB09N03LA PDF參數資料

中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：63W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1642 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：13 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：8.9 毫歐 @ 30A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：50A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：25 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPB09N03LA的詳細信息，包括IPB09N03LA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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