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IPB100N04S3-03

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數(shù)量:
 2671  
說明:
 MOSFET N-CH 40 V 100A
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IPB100N04S3-03 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303XT SP000260847
典型關(guān)閉延遲時間:46 ns
上升時間:16 ns
功率耗散:214 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:17 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.3 m Ohms
漏極連續(xù)電流:100 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB100N04S3-03的詳細信息,包括IPB100N04S3-03廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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