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IPB100N04S3-03

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2671
說明：: MOSFET N-CH 40 V 100A

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IPB100N04S3-03 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303XT SP000260847
典型關(guān)閉延遲時間：46 ns
上升時間：16 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：17 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.3 m Ohms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB100N04S3-03的詳細信息，包括IPB100N04S3-03廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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