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IPB100N04S303

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 4626  
說明:
 MOSFET
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IPB100N04S303-TO-263圖片

IPB100N04S303 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:46 ns
上升時間:16 ns
功率耗散:214 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:17 ns
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.3 m Ohms
漏極連續電流:100 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPB100N04S303的詳細信息,包括IPB100N04S303廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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