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IPB09N03LAT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數量：: 1665
說明：: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

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IPB09N03LAT PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.9 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1642pF @ 15V
功率 - 最大：63W
安裝類型：表面貼裝

以上是IPB09N03LAT的詳細信息，包括IPB09N03LAT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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