色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

IPB05N03LAT

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO263-3-2
數量：
 1404  
說明：
 MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
IPB05N03LAT-PG-TO263-3-2圖片

IPB05N03LAT PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.6 毫歐 @ 55A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：3110pF @ 15V
功率 - 最大：94W
安裝類型：表面貼裝

以上是IPB05N03LAT的詳細信息，包括IPB05N03LAT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 昆山市| 电白县| 太康县| 临泽县| 抚远县| 长子县| 怀柔区| 黄浦区| 石棉县| 绥德县| 苗栗市| 阿尔山市| 德保县| 岳阳市| 科技| 荣成市| 武义县| 正镶白旗| 自治县| 汾阳市| 五常市| 甘谷县| 梅河口市| 宁津县| 津市市| 忻城县| 策勒县| 科尔| 香格里拉县| 饶阳县| 朝阳县| 启东市| 乌兰察布市| 商河县| 高青县| 绵阳市| 彩票| 郸城县| 台山市| 泽州县| 鄂州市|