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IPB065N15N3GE818XT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-7
數(shù)量：: 4365
說明：: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor

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IPB065N15N3GE818XT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：E8187 G IPB065N15N3 IPB065N15N3GE8187ATMA1
典型關閉延遲時間：46 ns
上升時間：35 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：70 nC
下降時間：14 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TO263-7
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.5 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：130 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB065N15N3GE818XT的詳細信息，包括IPB065N15N3GE818XT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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