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IPB065N15N3GE818XT

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO263-7
數(shù)量:
 4365  
說明:
 MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
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IPB065N15N3GE818XT-PG-TO263-7圖片

IPB065N15N3GE818XT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:E8187 G IPB065N15N3 IPB065N15N3GE8187ATMA1
典型關閉延遲時間:46 ns
上升時間:35 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:70 nC
下降時間:14 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PG-TO263-7
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.5 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:130 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:150 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB065N15N3GE818XT的詳細信息,包括IPB065N15N3GE818XT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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