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IPB067N08N3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 2076  
說明:
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
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IPB067N08N3 G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPB067N08N3GATMA1 IPB067N08N3GXT SP000443636
典型關閉延遲時間:31 ns
工廠包裝數量:1000
功率耗散:136000 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.7 mOhms
漏極連續電流:80 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB067N08N3 G的詳細信息,包括IPB067N08N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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