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IPB065N10N3GATMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO263-3
數(shù)量:
 9  
說明:
 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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IPB065N10N3GATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):150W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4910 pF @ 50 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):64 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 90μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):6.5 毫歐 @ 80A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):80A(Tc)
漏源電壓(Vdss):100 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):最后售賣
包裝:OptiMOS?
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies

以上是IPB065N10N3GATMA1的詳細信息,包括IPB065N10N3GATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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