色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSZ0901NS

BSZ0901NS

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8
數(shù)量：: 13796
說明：: MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm

一、本商品被瀏覽0次.

BSZ0901NS PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSXT SP000854570
典型關閉延遲時間：28 ns
上升時間：6.8 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：23 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：140 S
下降時間：4.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.7 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：40 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSZ0901NS的詳細信息，包括BSZ0901NS廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：