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BSZ0902NSATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TSDSON-8-FL
數量：: 96651
說明：: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON

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BSZ0902NSATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），48W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1700 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：26 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.6 毫歐 @ 20A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19A（Ta），40A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是BSZ0902NSATMA1的詳細信息，包括BSZ0902NSATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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