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BSZ100N03MS G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TSDSON-8
數(shù)量:
 659  
說明:
 MOSFET OptiMOS 3 M-Series
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BSZ100N03MS G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGXT SP000311510
典型關(guān)閉延遲時間:16 ns
上升時間:2.8 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:2.4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSDSON-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.01 Ohms
漏極連續(xù)電流:10 A
閘/源擊穿電壓:+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSZ100N03MS G的詳細(xì)信息,包括BSZ100N03MS G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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