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BSZ0901NSIATMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TSDSON-8-FL
數量:
 7398  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
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BSZ0901NSIATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc)
FET 功能:肖特基二極管(體)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2600 pF @ 15 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):41 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2.1 毫歐 @ 20A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):25A(Ta),40A(Tc)
漏源電壓(Vdss):30 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:OptiMOS?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Infineon Technologies

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