Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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CFY 25-20 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9 dB，噪聲系數(shù)：1.9 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY 25-20P (H) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9 dB，噪聲系數(shù)：1.9 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY 25-20P (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9 dB，噪聲系數(shù)：1.9 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY25-20 (S) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9 dB，噪聲系數(shù)：1.9 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY25-23 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：8.7 dB，噪聲系數(shù)：2.2 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值... | ||||||
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CFY67-08 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，技術(shù)類型：pHEMT，頻率：12 GHz，增益：11.5 dB，噪聲系數(shù)：0.7 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：65 m... | ||||||
