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TK55D10J1(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 2862
說(shuō)明：: MOSFET MOSFET N-Ch

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TK55D10J1(Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：7 ns
功率耗散：140 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：20 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0105 Ohms
漏極連續(xù)電流：55 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK55D10J1(Q)的詳細(xì)信息，包括TK55D10J1(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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