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STE180NE10

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 ISOTOP?
數量:
 3906  
說明:
 MOSFET N-Ch 100 Volt 180 A
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STE180NE10-ISOTOP?圖片

STE180NE10 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:430 ns
工廠包裝數量:10
上升時間:600 ns
功率耗散:360 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :30 S
下降時間:440 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:ISOTOP
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.006 Ohms
漏極連續電流:180 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STE180NE10的詳細信息,包括STE180NE10廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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