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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫歐 @ 13A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)900V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3.75V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs660nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C26A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1770pF @ 25V
功率 - 最大450W
安裝類型底座安裝
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