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STB8NM60D

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 7587
說明：: MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A

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STB8NM60D-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB8NM60D PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：10 ns
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1 Ohms
漏極連續電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB8NM60D的詳細信息，包括STB8NM60D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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