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中文參數如下：
工廠包裝數量：50
上升時間：11 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 60 C
下降時間：11 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.85 Ohms
漏極連續電流：8.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
以上是STB9NB50的詳細信息，包括STB9NB50廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
