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SPB08P06P G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263
數(shù)量：
 3286  
說明：
 MOSFET P-CH 60V 8.8A
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SPB08P06P G-TO-263圖片

SPB08P06P G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SP000102179 SPB08P06PGATMA1 SPB08P06PGXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：48 ns
工廠包裝數(shù)量：1
上升時(shí)間：46 ns
功率耗散：42 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：14 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：8.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是SPB08P06P G的詳細(xì)信息，包括SPB08P06P G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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