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SP8J2TB

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 -
數量：
 1918  
說明：
 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
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SP8J2TB--圖片

SP8J2TB PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型2 個 P 溝道（雙）
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C56 毫歐 @ 4.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs8.5nC @ 5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C4.5A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 850pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝

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