色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SP8J66TB1

SP8J66TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數量：: 1611
說明：: MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOIC

一、本商品被瀏覽0次.

SP8J66TB1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

FET 型：2 個 P 溝道（雙）
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：9A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：-
閘電荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：-
安裝類型：表面貼裝

以上是SP8J66TB1的詳細信息，包括SP8J66TB1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：