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SIR878ADP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 2997  
說明:
 MOSFET 100V 14mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET
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SIR878ADP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR878ADP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIR878ADP-GE3
典型關(guān)閉延遲時間:25 ns
上升時間:13 ns
功率耗散:44.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:13.9 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :44 S
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):14 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:40 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIR878ADP-T1-GE3的詳細信息,包括SIR878ADP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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