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SIR696DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 3753  
說明:
 MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
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SIR696DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR696DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):104W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1410 pF @ 75 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):38 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):11.5 毫歐 @ 20A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):7.5V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):60A(Tc)
漏源電壓(Vdss):125 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:ThunderFET?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay Siliconix

以上是SIR696DP-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIR696DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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