色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<rt id="gk4si"></rt>

首頁 > 電子元件分類 > 電源 > 電源管理 IC > 開關變換器、穩壓器與控制器 > SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數量：: 3150
說明：: MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

一、本商品被瀏覽0次.

SIR804DP-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SIR804DP-GE3
典型關閉延遲時間：38 nS
上升時間：9 nS
功率耗散：104 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：50.8 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：73 S
下降時間：11 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7.2 mOhms at 10 V
漏極連續電流：60 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIR804DP-T1-GE3的詳細信息，包括SIR804DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：