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SIR804DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數量:
 3150  
說明:
 MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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SIR804DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR804DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIR804DP-GE3
典型關閉延遲時間:38 nS
上升時間:9 nS
功率耗散:104 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:50.8 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :73 S
下降時間:11 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):7.2 mOhms at 10 V
漏極連續電流:60 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIR804DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIR804DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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