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中文參數如下:
零件號別名:SIR788DP-GE3
上升時間:11 ns
功率耗散:48 W
柵極電荷 Qg:50 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :85 S
下降時間:9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0034 Ohms
漏極連續電流:60 A
閘/源擊穿電壓:2.5 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIR788DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIR788DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!