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SIHG32N50D-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-247AC
數量:
 5445  
說明:
 MOSFET 500V 150mOhm@10V 30A N-Ch D-SRS
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SIHG32N50D-GE3-TO-247AC圖片

SIHG32N50D-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:58 ns
上升時間:75 ns
功率耗散:390 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:96 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :11 S
下降時間:55 ns
封裝形式:TO-247AC
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):150 mOhms at 10 V
漏極連續電流:30 A
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHG32N50D-GE3的詳細信息,包括SIHG32N50D-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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