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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:290 ns
上升時間:158 ns
功率耗散:520 W
柵極電荷 Qg:362 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :12 S
下降時間:180 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-247AC
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.039 Ohms
漏極連續電流:73 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIHG73N60E-E3的詳細信息,包括SIHG73N60E-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!