色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SIHJ690N60E-T1-GE3

SIHJ690N60E-T1-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數量：: 6961
說明：: MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8

一、本商品被瀏覽0次.

SIHJ690N60E-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：48W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：347 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：700 毫歐 @ 2A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：5.6A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：E
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIHJ690N60E-T1-GE3的詳細信息，包括SIHJ690N60E-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：