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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns
上升時(shí)間:20 ns
功率耗散:1.8 W
最小工作溫度:- 40 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :7 S
下降時(shí)間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-4
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 85 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.122 Ohms
漏極連續(xù)電流:- 3.8 A
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI8465DB-T2-E1的詳細(xì)信息,包括SI8465DB-T2-E1廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!